PI 化學金屬化&預鑽孔技術
聚醯亞胺膜(Polyimide, PI)作為軟性銅箔基板的核心材料，短時間可承受高達400℃以上，搭配直接金屬化製程可避免傳統接著劑在高溫下劣化的問題，提升FPC可靠性。 PMR採用濕式金屬化(化學法)方式在PI薄膜上進行化學鍍鎳及電鍍薄銅兩個步驟。其優點為無接著劑結構、高附著力、優異熱穩定性、極薄金屬層、製程彈性與適合大規模量產，廣泛應用於高階軟性電路板與電子產品。
PMR採用全新工藝在PI先進行雷射鑽孔再金屬化的流程，稱之為預鑽孔技術(Pre-drilled Technology)，大幅簡化FPC製造流程，提高軟板生產效率，降低生產成本，不僅能針對各種設計需求進行靈活調整，同時完成面銅與孔銅的金屬化，減少孔洞內金屬斷裂的風險，提升導通孔的信賴性，並且微小孔會直接填孔，可以取代複雜的盲孔製作。
透過替換合適的PI薄膜即可以實現不同的產品功能，例如高透明、低漲縮、超薄等特性，輕鬆滿足各類應用需求。
| Base film | Features |
|---|---|
| Colorless PI | TT 88~89%, Haze < 0.6% Tg 270 C Thickness 25,50um |
| Low CTE PI | CTE 8 ppm/℃, Modulus 9 GPa Tg 340 C Thickness 12,25,38,50um |
| Ultra-thin PI | CTE 8 ppm/℃, Modulus 9 GPa Tg 340 C Thickness 5~7µm |
半加成製程 (SAP Technologies)
PMR的半加成製程(Semi-Additive Process, SAP)是結合加成法(Additive Process)與減成法(Subtractive Process)優點的細線路電路板製程，具有高解析度、側蝕小、線路品質穩定等優勢。相較於改良式半加成(Modified Semi-Additive Process, mSAP)是以超薄銅箔基板(銅厚通常1~3μm)為起始材料，SAP則在聚醯亞胺膜(Polyimide, PI)上先進行鑽孔(Via drilling)，並以直接金屬化方式在聚醯亞胺膜(Polyimide, PI)上形成極薄的導電層。兩者能做的線寬/線距都大幅優於傳統減成法(Subtractive Process)，mSAP可達20/20μm，SAP甚至可實現10/10 μm以下的極細線路。
PI直接金屬化+SAP線路製作
表面平滑度高，製作極細線路良率高
傳統壓合型 FCCL+減成法
(Subtractive)線路製作
卷對卷超細線軟性印刷電路板製造
微細線軟性電路板
通常指的是具有極細線寬與線距(小於30μm甚至更細)的軟性印刷電路板(Flexible Printed Circuit, FPC) ，結合了高密度配線、極佳柔韌性與輕薄特性，是現代電子產品朝向高密度、小型化、高可靠發展的關鍵基礎零組件。其應用涵蓋智慧型手機、穿戴式裝置、車用電子、醫療、航空航太等多個領域。
PMR採用卷對卷(Roll-to-Roll, RTR)生產技術
搭配自有的PI金屬化技術以及SAP (Semi-Additive Process)加工技術，是製造超微細線路軟性電路板的關鍵方法，適用於超薄聚醯亞胺基材，避免傳統製程中因頻繁搬運造成的基板皺摺或污染。全程卷對卷連續式製程可減少人為接觸，自動化生產亦可確保高良率，大規模生產時單位成本顯著低於傳統製程。
